COMPLEMENTI DI ELETTRONICA
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Anno immatricolazione
2014/2015
Anno offerta
2015/2016
Normativa
DM270
SSD
ING-INF/01 (ELETTRONICA)
Dipartimento
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA INDUSTRIALE E DELL'INFORMAZIONE
Corso di studio
INGEGNERIA ELETTRICA
Curriculum
SISTEMI ELETTRICI
Anno di corso
Periodo didattico
Primo Semestre (28/09/2015 - 15/01/2016)
Crediti
6
Ore
45 ore di attività frontale
Lingua insegnamento
ITALIANO
Tipo esame
SCRITTO E ORALE CONGIUNTI
Docente
DALLAGO ENRICO (titolare) - 6 CFU
Prerequisiti
Conoscenze di base di elettronica e fisica.
Obiettivi formativi
Completare le conoscenze di tipo elettronico di base e sugli amplificatori di potenza e fornire informazioni di optoelettronica, sensori e trasduttori e MEMS e relative applicazioni industriali.
Programma e contenuti
Amplificatori a BJT
Il BJT . Caratteristiche statiche. Reti di polarizzazione. Circuiti equivalenti di piccolo segnale. Circuiti elementari di amplificazione con BJT. Amplificatori a più stadi in cascata. Configurazione Darlington. Cascode e specchio di corrente. Esempi di dispositivi commerciali. Confronto fra BJT e Mosfet.
Complementi sugli amplificatori operazionali
Limitazioni degli amplificatori operazionali reali. Esempi di dispositivi commerciali. Esempi applicativi: diodo di precisione, generatori di forme d’onda, reti di formazione del segnale. Amplificatore delle differenze.
Amplificatori di potenza
Definizioni e classificazioni degli amplificatori di potenza. Amplificatori in classe A, push –pull in classe B, amplificatori complementari e push-pull quasi complementari in classe AB, amplificatori push-pull in classe AB accoppiati a trasformatore.
Optoelettronica
Fibre ottiche. Dispositivi optoelettronici (Fotoresistenze, Fotodiodo, Fototransistor, LED, Optoisolatori, Laser a semiconduttore). Esempi di dispositivi commerciali. Esempi di applicazioni (amplificatore a transimpedenza per fotodiodo, alimentatore per diodo laser). Esempi di sistema di trasmissione in fibra ottica.
Sensori e microsensori
Sensori e trasduttori e applicazioni. Misure di temperatura (sensori, interfacce, circuiti di elaborazione per diagnostica in ambito industriale). Sensori di campo magnetico. Dispositivi piezoelettrici e applicazioni.
MEMS e nanotecnologie
Elementi di tecnologia dei circuiti integrati al Si. Sensori e attuatori MEMS e applicazioni. Esempi di dispositivi commerciali. Nanotecnologie in elettronica.
Metodi didattici
Lezioni (ore/anno in aula): 45
Esercitazioni (ore/anno in aula): 0
Attività pratiche (ore/anno in aula): 0
Testi di riferimento
A. S. Sedra, K. C. Smith. Circuiti per la microelettronica. Edizioni Ingegneria 2000.
Modalità verifica apprendimento
L’esame consiste in una prova orale. È facoltà della studente presentare un elaborato su un argomento concordato con lo studente.
Altre informazioni
L’esame consiste in una prova orale. È facoltà della studente presentare un elaborato su un argomento concordato con lo studente.
Obiettivi Agenda 2030 per lo sviluppo sostenibile