ELETTRONICA
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Anno immatricolazione
2013/2014
Anno offerta
2015/2016
Normativa
DM270
SSD
ING-INF/01 (ELETTRONICA)
Dipartimento
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA INDUSTRIALE E DELL'INFORMAZIONE
Corso di studio
INGEGNERIA INDUSTRIALE
Curriculum
ENERGIA
Anno di corso
Periodo didattico
Primo Semestre (28/09/2015 - 15/01/2016)
Crediti
6
Ore
45 ore di attività frontale
Lingua insegnamento
Corso tenuto in italiano
Tipo esame
SCRITTO E ORALE CONGIUNTI
Docente
ANNOVAZZI LODI VALERIO (titolare) - 6 CFU
Prerequisiti
Conoscenze di base di Analisi matematica. Conoscenza degli elementi di base della teoria delle reti lineari passive.
Obiettivi formativi
Conoscenza delle principali applicazioni analogiche lineari e non lineari che impiegano diodi a giunzione, amplificatori operazionali, transistori ad effetto di campo; conoscenza delle famiglie logiche MOS e dei circuiti digitali elementari; capacità di analizzare ed eseguire misure su semplici circuiti analogici; capacità di sintetizzare semplici reti con operazionali.
Programma e contenuti
Il corso di Elettronica per Ingegneria Industriale comprende due moduli: Elettronica (prof. Annovazzi Lodi) e Conversione statica dell’energia (prof. Dallago). Il primo modulo, descritto in questa scheda, costituisce un’introduzione all’Elettronica analogica lineare e non lineare, e all’elettronica digitale.

Programma del modulo di Elettronica

• Amplificatori Operazionali: 

L’amplificatore operazionale ideale. La configurazione invertente. La configurazione non invertente. Sommatore, sottrattore, integratore, derivatore con operazionali. Sintesi di reti lineari con operazionali. Comportamento per ampi segnali. Correnti di polarizzazione; tensione di sbilanciamento. Circuiti multivibratori: bistabile, astabile, monostabile con operazionali.

• Il diodo a semiconduttore: caratteristica corrente-tensione. Diodi a valanga e diodi Zener. Circuiti con diodi. Regolatori di tensione. Raddrizzatori.

• Transistori ad effetto di campo: JFET e MOS-FET ad arricchimento e a svuotamento. Caratteristiche statiche. Analisi statica di circuiti con JFET e MOSFET. Circuiti di polarizzazione. Il FET come amplificatore. Circuito equivalente per piccolo segnale. Stadi di amplificazione elementari per piccolo segnale. Specchi di corrente. Il MOSFET come interruttore.

• Circuiti digitali
Segnali numerici e loro rappresentazione: 
Circuiti logici elementari: AND, OR, NOT, NOR, NAND, EXOR. Tabelle della verità. Circuiti integrati digitali MOS: l'invertitore NMOS con carico a svuotamento; l'invertitore NMOS con carico ad arricchimento; l'invertitore CMOS. Il latch e il flip-flop S/R. Memorie RAM, ROM, pROM, EPROM. Convertitori A/D e D/A.

• Elementi di teoria della reti lineari: 
Amplificatori e loro modelli circuitali; teoremi di Norton, Thevenin, Miller. Risposta in frequenza e nel tempo di reti a singola costante di tempo. Metodi di tracciamento dei diagrammi di Bode.
Metodi didattici
Lezioni (ore/anno in aula): 68
Esercitazioni (ore/anno in aula): 36
Attività pratiche (ore/anno in aula): 12
Testi di riferimento
A.Sedra, K.Smith:. Microelectronic Circuits, III ed. o successive. Oxford University Press .
A.Sedra, K.Smith. Circuiti per la Microelettronica. EdiSeS.
Modalità verifica apprendimento
L’esame del modulo di Elettronica consiste di una prova scritta di analisi di circuiti con elementi attivi discreti e amplificatori operazionali, e di una prova orale sugli argomenti del modulo.
Altre informazioni
L’esame del modulo di Elettronica consiste di una prova scritta di analisi di circuiti con elementi attivi discreti e amplificatori operazionali, e di una prova orale sugli argomenti del modulo.
Obiettivi Agenda 2030 per lo sviluppo sostenibile